Infineon gewinnt Patentstreit um GaN-Technologie gegen Innoscience
Das Landgericht München hat in zwei Patentverletzungsverfahren zugunsten von Infineon Technologies entschieden. Die Streitfälle betrafen Galliumnitrid-Technologie (GaN) und die unberechtigte Nutzung von Infineon-Patenten durch das chinesische Unternehmen Innoscience. Mit diesem Urteil erleidet Innoscience bereits die dritte und vierte juristische Niederlage in solchen Fällen.
Infineon warf Innoscience vor, seine patentierte GaN-Technologie ohne Erlaubnis zu nutzen. Das Gericht gab Infineon recht und untersagte Innoscience die Herstellung, den Verkauf oder die Vermarktung der patentverletzenden Produkte in Deutschland. Zudem wurde Innoscience zur Zahlung von Schadensersatz an Infineon verurteilt.
Johannes Schoiswohl, Senior Vice President und Leiter der GaN-Sparten bei Infineon, erklärte, das Urteil unterstreiche die Stärke des GaN-Portfolios von Infineon. Er betonte das Engagement des Unternehmens, geistiges Eigentum zu schützen und faire Wettbewerbsbedingungen zu gewährleisten. Infineon hält rund 450 GaN-Patentfamilien und verfügt damit über eines der umfangreichsten IP-Portfolios der Branche.
Gerichte und Behörden in Deutschland und den USA hatten zuvor bereits festgestellt, dass Produkte von Innoscience Patente von Infineon verletzen. GaN-Technologie ist entscheidend für hochleistungsfähige und energieeffiziente Stromsysteme in verschiedenen Anwendungsbereichen.
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Das Urteil festigt Infineons Position auf dem Halbleitermarkt. Es verhindert, dass Innoscience seine patentverletzenden Aktivitäten in Deutschland fortsetzt. Infineon bleibt weiterhin auf Innovation und die Weiterentwicklung von Halbleiterlösungen fokussiert, um globale Herausforderungen zu bewältigen.
